高纯氧化铋 三氧化二铋 Bi2O3

三氧化二铋（Bi2O3） 

1， 物理性质： 

原子量：466 

熔点：820 ℃

 沸点：189.0 ℃ 

密度：9.32 g/cm3 

黄色粉末。

2，规格： 

化学纯度：

高纯三氧化二铋：Bi2O3-04 纯度99.99%以上，银，钙，铬，铜，铁，镁，锰，镍，铅，钴杂质总含量小于100ppm。

 高纯三氧化二铋：Bi2O3-05 纯度99.999%以上，银，钙，铬，铜，铁，镁，锰，镍，铅，钴杂质总含量小于10ppm。 

3，物理性状：淡黄色粉末，平均粒径50nm以上（纳米级材料）。

 4，用途： 主要用于制造红玻璃，陶瓷，铋盐，电子元件避雷，隐性器件及Bi4Ge3O12单晶声光器件等。电子元件，集成电路块贴片用。

 5，包装：聚乙烯瓶封装。

三氧化二镓（Ga2O3)
1，技术对接：电弧发加热，瞬间使镓气化，气化后的镓蒸气与过量的氧气CVD化学气相沉积而成:4Ga+ 3O2 = 2Ga2O3,不含任何酸根离子；如：氯离子，硝酸根离子；
2，检验： GDMS （99.99％纯度：所有的杂质元素低于100ppm）XRD：（主峰完全对称）；激光粒度分析仪：（粒径：D5010微米）；
3，服务：提供MSDS及实用的防护措施；提供材料的应用解决方案；提供免费样品；
4，性状：-Ga2O3为六方晶型，-Ga2O3属于单斜晶型；
5，纯度：99.99％-99.999％；
6，外观：纯白色粉末；
7，包装：袋装：5Kg/袋，外加铝复合薄膜真空包装；
8，应用：TGG单晶，光电子器件，紫外线滤光片等；
9，交期：50kg/5天氧化物

公司位于生产基地位于双流西南航空港经济开发区腾飞三路485号。主要生产高纯金属，半导体化合物:     4N - 7N 高纯碲（Te），镉(Cd)，硫(S)，铟(In)，硒(Se)，镓(Ga)，锑(Sb)，锡(Sn)，铅(Pb)，锗(Ge)，铜(Cu)，锌(Zn)等高纯单质； 4N -7N 碲系，硫系，硒系,化合物及铜铟镓硒（CIGS）材料和靶材。 碲化镉CdTe, 碲化铅PbTe, 碲化铜CuTe，碲化锗GeTe， 碲化锌ZnTe，三碲化二铋Bi2Te3，二氧化碲TeO2. 硫化镉CdS，硫化铅PbS，三硫化二镓Ga2S3，硫化锗GeS，硫化锌ZnS， 硫化锡SnS，三硫化二铟In2S3. 硒化镉CdSe，三硒化二镓Ga2Se3，硒化铜CuSe，三硒化二铟In2Se3， 硒化铅PbSe，硒化锗GeSe，硒化锌ZnSe，硒化铋Bi2Se3. 铜铟镓硒（CIGS）材料. 靶材：碲化镉靶，硫化镉靶，氧化锌靶，氧化锌铝靶，铜铟镓硒靶，三硒化二铟靶，硒化铜靶材。。。 公司现有的工艺有： 1，电解装置4套：回收电解铜，电解铅锌矿的阳极泥；高纯铟的电解，特别是除去里面的杂质锡。 2, 真空蒸馏装置12套：根据杂质的饱和蒸气压的不同，采用真空蒸馏的方法将其去除。 3，区域熔炼炉10套。 4，单间提拉炉12套。 5，CVD 化学气相沉积设备3套。 6，PVD装置。 7，真空熔炼设备。 8，THM 移动式加热设备。 公司现有的检测设备： 1，ICP-MS;ICP-OES (适用范围：检测<99.999% 纯度的产品） 2，XRD （适用范围：化合物的相图） 3，激光粒度分析仪（适用范围：粉末粒径） 4，对于99.9999%以上的产品，提供GDMS 外检指标。